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Référence fabricant | IDC04S60CEX1SA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDC04S60CEX1SA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDC04S60CEX1SA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.9V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC04S60CEX1SA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC04S60CEX1SA1-FT |
GP10K-041M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-046E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10KE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-062M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel