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Référence fabricant | IDC08S60CEX1SA3 |
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Numéro de pièce future | FT-IDC08S60CEX1SA3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDC08S60CEX1SA3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08S60CEX1SA3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC08S60CEX1SA3-FT |
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10QE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation