maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTY01N100D
Référence fabricant | IXTY01N100D |
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Numéro de pièce future | FT-IXTY01N100D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTY01N100D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY01N100D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTY01N100D-FT |
IRFR1018ETRPBF
Infineon Technologies
FDD8882
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5SGXMA7N1F40C2N
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