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Référence fabricant | IRFR3607TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR3607TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR3607TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 56A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR3607TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR3607TRPBF-FT |
ZVNL120C
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTZ
Diodes Incorporated
ZVP0120AS
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOB
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel