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ON Semiconductor FDD8882

Numéro de pièce MFG
FDD8882
quantité disponible
21290 Pièces
Prix de référence
USD 0.317984
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDD8882.pdf
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FDD8882 Caractéristiques

Référence fabricant FDD8882
Numéro de pièce future FT-FDD8882
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDD8882 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252AA
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD8882 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDD8882-FT

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