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Référence fabricant | IRFR4510TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR4510TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR4510TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 56A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3031pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 143W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR4510TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR4510TRPBF-FT |
ZVNL120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120C
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTZ
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ZVP0120AS
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ZVP0120ASTOA
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ZVP0545ASTOA
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XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
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10AX016E4F29E3SG
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