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Référence fabricant | IXFV26N60PS |
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Numéro de pièce future | FT-IXFV26N60PS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXFV26N60PS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS-220SMD |
Paquet / caisse | PLUS-220SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV26N60PS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFV26N60PS-FT |
ISL9N303AS3
ON Semiconductor
ITD50N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IXFB30N120Q2
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IXFC10N80P
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XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
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LFXP6E-4FN256I
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LFXP2-17E-6QN208C
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LCMXO3LF-1300E-5MG121C
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10AX016E4F29E3SG
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