maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFB30N120Q2
Référence fabricant | IXFB30N120Q2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFB30N120Q2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXFB30N120Q2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS264™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS264™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB30N120Q2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFB30N120Q2-FT |
IPT210N25NFDATMA1
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IPU60R2K1CEAKMA1
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