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Référence fabricant | IXFC14N60P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFC14N60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC14N60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS220™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS220™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC14N60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFC14N60P-FT |
IPW65R041CFDFKSA2
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-PQ208
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
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5CGXFC4C6U19I7N
Intel