maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPZ60R017C7XKSA1
Référence fabricant | IPZ60R017C7XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPZ60R017C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
IPZ60R017C7XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ60R017C7XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPZ60R017C7XKSA1-FT |
IPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPD50R520CPBTMA1
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IPD60R3K4CEAUMA1
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A3P250-1FG256
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel