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ON Semiconductor ISL9N303AS3

Name: ISL9N303AS3
Brand: ON Semiconductor
SKU: ISL9N303AS3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (44 reviews)

Numéro de pièce MFG: ISL9N303AS3

quantité disponible: 68980 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: UltraFET™ MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ISL9N303AS3.pdf

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ISL9N303AS3 Caractéristiques

Référence fabricant	ISL9N303AS3
Numéro de pièce future	FT-ISL9N303AS3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	UltraFET™
ISL9N303AS3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	215W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9N303AS3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ISL9N303AS3-FT

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