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Référence fabricant | IXFN260N17T |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN260N17T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GigaMOS™ |
IXFN260N17T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 170V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 245A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1090W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN260N17T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN260N17T-FT |
IXFN90N85X
IXYS
IXFN50N80Q2
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LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel