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IXYS IXFN260N17T

Numéro de pièce MFG
IXFN260N17T
quantité disponible
14940 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
GigaMOS™ MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFN260N17T Caractéristiques

Référence fabricant IXFN260N17T
Numéro de pièce future FT-IXFN260N17T
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries GigaMOS™
IXFN260N17T Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 170V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 245A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 400nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1090W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-227B
Paquet / caisse SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN260N17T Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFN260N17T-FT

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