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IXYS IXFN70N120SK

Numéro de pièce MFG
IXFN70N120SK
quantité disponible
58560 Pièces
Prix de référence
USD 82.044
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFN70N120SK Caractéristiques

Référence fabricant IXFN70N120SK
Numéro de pièce future FT-IXFN70N120SK
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXFN70N120SK Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 68A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2790pF @ 1000V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-227B
Paquet / caisse SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN70N120SK Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFN70N120SK-FT

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