maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH26N60Q
Référence fabricant | IXFH26N60Q |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFH26N60Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH26N60Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH26N60Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH26N60Q-FT |
IXFH100N25P
IXYS
IXFH10N100P
IXYS
IXFH10N80P
IXYS
IXFH110N10P
IXYS
IXFH110N15T2
IXYS
IXFH110N25T
IXYS
IXFH120N20P
IXYS
IXFH120N25T
IXYS
IXFH12N120P
IXYS
IXFH12N80P
IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel