maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH10N80P
Référence fabricant | IXFH10N80P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFH10N80P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFH10N80P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH10N80P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH10N80P-FT |
IXFT24N50Q
IXYS
IXFT26N50
IXYS
IXFT26N50Q
IXYS
IXFT26N60Q
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IXFT30N50
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IXFT30N50Q
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IXFT30N60Q
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IXFT32N50
IXYS
IXFT32N50Q
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel