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IXYS IXFN60N60

Numéro de pièce MFG
IXFN60N60
quantité disponible
95860 Pièces
Prix de référence
USD 37.84
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXFN60N60.pdf
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IXFN60N60 Caractéristiques

Référence fabricant IXFN60N60
Numéro de pièce future FT-IXFN60N60
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFN60N60 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-227B
Paquet / caisse SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN60N60 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFN60N60-FT

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