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IXYS IXFN50N120SIC

Name: IXFN50N120SIC
Brand: IXYS
SKU: IXFN50N120SIC
Price: 49.1776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (297 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFN50N120SIC

quantité disponible: 53230 Pièces

Prix de référence: USD 49.1776

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFN50N120SIC.pdf

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IXFN50N120SIC Caractéristiques

Référence fabricant	IXFN50N120SIC
Numéro de pièce future	FT-IXFN50N120SIC
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXFN50N120SIC Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 20V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-227B
Paquet / caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN50N120SIC Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFN50N120SIC-FT

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