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IXYS IXFB170N30P

Name: IXFB170N30P
Brand: IXYS
SKU: IXFB170N30P
Price: 16.08896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (372 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFB170N30P

quantité disponible: 11760 Pièces

Prix de référence: USD 16.08896

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH TO-264

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFB170N30P.pdf

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IXFB170N30P Caractéristiques

Référence fabricant	IXFB170N30P
Numéro de pièce future	FT-IXFB170N30P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, PolarP2™
IXFB170N30P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	258nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PLUS264™
Paquet / caisse	TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB170N30P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFB170N30P-FT

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