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Référence fabricant | APT23F60S |
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Numéro de pièce future | FT-APT23F60S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT23F60S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4415pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 415W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D3Pak |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT23F60S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT23F60S-FT |
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XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
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LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
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EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
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A54SX32A-2TQG100I
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10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
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