maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT9F100S
Référence fabricant | APT9F100S |
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Numéro de pièce future | FT-APT9F100S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT9F100S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2606pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 337W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D3Pak |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT9F100S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT9F100S-FT |
APT50M50JLL
Microsemi Corporation
APT60M60JFLL
Microsemi Corporation
APT30M19JVFR
Microsemi Corporation
APT10035JLL
Microsemi Corporation
APT100M50J
Microsemi Corporation
APT20M11JVR
Microsemi Corporation
APT30M19JVR
Microsemi Corporation
APT30M60J
Microsemi Corporation
APT39M60J
Microsemi Corporation
APT80M60J
Microsemi Corporation
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
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EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel