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Référence fabricant | APTML100U60R020T1AG |
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Numéro de pièce future | FT-APTML100U60R020T1AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTML100U60R020T1AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 520W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Paquet / caisse | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTML100U60R020T1AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTML100U60R020T1AG-FT |
APT60M60JFLL
Microsemi Corporation
APT30M19JVFR
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A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
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AGLN125V2-VQ100I
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EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel