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Microsemi Corporation APTML100U60R020T1AG

Numéro de pièce MFG
APTML100U60R020T1AG
quantité disponible
60550 Pièces
Prix de référence
USD 97.64
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTML100U60R020T1AG.pdf
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APTML100U60R020T1AG Caractéristiques

Référence fabricant APTML100U60R020T1AG
Numéro de pièce future FT-APTML100U60R020T1AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTML100U60R020T1AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur SP1
Paquet / caisse SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTML100U60R020T1AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTML100U60R020T1AG-FT

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