maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / ISC1210EB2R2K
Référence fabricant | ISC1210EB2R2K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210EB2R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210EB2R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 320mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 65MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB2R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210EB2R2K-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel