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Référence fabricant | ISC1210BN2R7K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN2R7K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN2R7K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 290mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 60MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN2R7K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN2R7K-FT |
744782018
Wurth Electronics Inc.
744782022
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744782027
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744782033
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744782039
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744782047
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74478210
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XC2VP30-6FGG676C
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AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2S180F1508C4N
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