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Référence fabricant | ISC1210BN1R8J |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN1R8J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN1R8J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.8µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 350mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 85MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R8J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN1R8J-FT |
744901082
Wurth Electronics Inc.
744901110
Wurth Electronics Inc.
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
744901118
Wurth Electronics Inc.
744901122
Wurth Electronics Inc.
74478201
Wurth Electronics Inc.
744782012
Wurth Electronics Inc.
744782015
Wurth Electronics Inc.
744782018
Wurth Electronics Inc.
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation