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Référence fabricant | ISC1210BN2R2K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN2R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN2R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 320mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 65MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN2R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN2R2K-FT |
744782012
Wurth Electronics Inc.
744782015
Wurth Electronics Inc.
744782018
Wurth Electronics Inc.
744782022
Wurth Electronics Inc.
744782027
Wurth Electronics Inc.
744782033
Wurth Electronics Inc.
744782039
Wurth Electronics Inc.
744782047
Wurth Electronics Inc.
744782056
Wurth Electronics Inc.
744782068
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel