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Référence fabricant | IRLMS6702TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRLMS6702TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLMS6702TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Micro6™(TSOP-6) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS6702TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLMS6702TRPBF-FT |
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
SI3134KL-TP
Micro Commercial Co
SI3139KL-TP
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SI3134K-TP
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SSM3K35MFV,L3F
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FDG328P
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A40MX02-VQG80M
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5SGXEA7N1F40C2
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LFEC6E-5F256C
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