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Infineon Technologies IRLML2060TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRLML2060TRPBF
quantité disponible
76900 Pièces
Prix de référence
USD 0.095248
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRLML2060TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRLML2060TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRLML2060TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLML2060TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.67nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 64pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML2060TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLML2060TRPBF-FT

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