maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFQ26N50Q
Référence fabricant | IXFQ26N50Q |
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Numéro de pièce future | FT-IXFQ26N50Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXFQ26N50Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ26N50Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFQ26N50Q-FT |
IXTP5N50P
IXYS
IXTP5N60P
IXYS
IXTP64N055T
IXYS
IXTP6N50P
IXYS
IXTP70N085T
IXYS
IXTP72N20T
IXYS
IXTP74N15T
IXYS
IXTP76N075T
IXYS
IXTP7N60P
IXYS
IXTP7N60PM
IXYS
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel