maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTP7N60PM
Référence fabricant | IXTP7N60PM |
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Numéro de pièce future | FT-IXTP7N60PM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXTP7N60PM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 41W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP7N60PM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTP7N60PM-FT |
IXTP260N055T2
IXYS
IXTP2N65X2
IXYS
IXTP32N20T
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IXTP32N65X
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XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel