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IXYS IXFQ12N80P

Name: IXFQ12N80P
Brand: IXYS
SKU: IXFQ12N80P
Price: 2.808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (470 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFQ12N80P

quantité disponible: 16420 Pièces

Prix de référence: USD 2.808

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFQ12N80P.pdf

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IXFQ12N80P Caractéristiques

Référence fabricant	IXFQ12N80P
Numéro de pièce future	FT-IXFQ12N80P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, PolarHT™
IXFQ12N80P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ12N80P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFQ12N80P-FT

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