maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTP50N085T
Référence fabricant | IXTP50N085T |
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Numéro de pièce future | FT-IXTP50N085T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMV™ |
IXTP50N085T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 85V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 130W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP50N085T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTP50N085T-FT |
IXTP1N100P
IXYS
IXTP1N120P
IXYS
IXTP1N80P
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IXTP1R4N100P
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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Lattice Semiconductor Corporation
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