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IXYS IXTP1R6N100D2

Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTP1R6N100D2
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (385 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTP1R6N100D2

quantité disponible: 40140 Pièces

Prix de référence: USD 1.48

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTP1R6N100D2.pdf

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IXTP1R6N100D2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTP1R6N100D2
Numéro de pièce future	FT-IXTP1R6N100D2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXTP1R6N100D2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Caractéristique FET	Depletion Mode
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP1R6N100D2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTP1R6N100D2-FT

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