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Référence fabricant | IXTP130N10T |
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Numéro de pièce future | FT-IXTP130N10T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMV™ |
IXTP130N10T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP130N10T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTP130N10T-FT |
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Xilinx Inc.
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10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel