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IXYS IXTP3N120

Name: IXTP3N120
Brand: IXYS
SKU: IXTP3N120
Price: 5.088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (170 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTP3N120

quantité disponible: 92720 Pièces

Prix de référence: USD 5.088

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTP3N120.pdf

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IXTP3N120 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTP3N120
Numéro de pièce future	FT-IXTP3N120
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXTP3N120 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP3N120 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTP3N120-FT

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