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IXYS IXTH1N200P3

Name: IXTH1N200P3
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N200P3
Price: 5.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (669 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTH1N200P3

quantité disponible: 38090 Pièces

Prix de référence: USD 5.064

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTH1N200P3.pdf

IXTH1N200P3 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTH1N200P3
Numéro de pièce future	FT-IXTH1N200P3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXTH1N200P3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	2000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247 (IXTH)
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N200P3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTH1N200P3-FT

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