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IXYS IXTH1N170DHV

Name: IXTH1N170DHV
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N170DHV
Price: 7.5184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (641 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTH1N170DHV

quantité disponible: 41470 Pièces

Prix de référence: USD 7.5184

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTH1N170DHV.pdf

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IXTH1N170DHV Caractéristiques

Référence fabricant	IXTH1N170DHV
Numéro de pièce future	FT-IXTH1N170DHV
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXTH1N170DHV Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3090pF @ 25V
Caractéristique FET	Depletion Mode
Dissipation de puissance (max)	290W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247HV
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N170DHV Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTH1N170DHV-FT

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