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IXYS IXTP1R4N120P

Numéro de pièce MFG
IXTP1R4N120P
quantité disponible
52400 Pièces
Prix de référence
USD 2.448
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
Polar™ MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTP1R4N120P.pdf
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IXTP1R4N120P Caractéristiques

Référence fabricant IXTP1R4N120P
Numéro de pièce future FT-IXTP1R4N120P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Polar™
IXTP1R4N120P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 666pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP1R4N120P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTP1R4N120P-FT

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