maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFQ21N50Q
Référence fabricant | IXFQ21N50Q |
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Numéro de pièce future | FT-IXFQ21N50Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXFQ21N50Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ21N50Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFQ21N50Q-FT |
IXTP50N085T
IXYS
IXTP54N30T
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IXTP55N075T
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IXTP5N50P
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