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Infineon Technologies IRLL2703PBF

Name: IRLL2703PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL2703PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (421 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLL2703PBF

quantité disponible: 65620 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLL2703PBF.pdf

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IRLL2703PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLL2703PBF
Numéro de pièce future	FT-IRLL2703PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLL2703PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLL2703PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLL2703PBF-FT

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