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FDT457N Image

ON Semiconductor FDT457N

Numéro de pièce MFG
FDT457N
quantité disponible
50460 Pièces
Prix de référence
USD 0.29348
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDT457N.pdf
FDT457N Image

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FDT457N Caractéristiques

Référence fabricant FDT457N
Numéro de pièce future FT-FDT457N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDT457N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDT457N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDT457N-FT

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