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Infineon Technologies IRFL024ZTRPBF

Name: IRFL024ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFL024ZTRPBF
Price: 0.260608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (423 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFL024ZTRPBF

quantité disponible: 89600 Pièces

Prix de référence: USD 0.260608

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFL024ZTRPBF.pdf

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IRFL024ZTRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFL024ZTRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFL024ZTRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFL024ZTRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57.5 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFL024ZTRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFL024ZTRPBF-FT

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