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ON Semiconductor FQT7N10TF

Numéro de pièce MFG
FQT7N10TF
quantité disponible
64550 Pièces
Prix de référence
USD 0.166544
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQT7N10TF.pdf
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FQT7N10TF Caractéristiques

Référence fabricant FQT7N10TF
Numéro de pièce future FT-FQT7N10TF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQT7N10TF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT7N10TF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQT7N10TF-FT

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