maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQT7N10TF
Référence fabricant | FQT7N10TF |
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Numéro de pièce future | FT-FQT7N10TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQT7N10TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 850mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT7N10TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQT7N10TF-FT |
FDMS86568-F085
ON Semiconductor
FDMS9408L-F085
ON Semiconductor
FDMS9410L-F085
ON Semiconductor
FDWS86369-F085
ON Semiconductor
FDWS86368-F085
ON Semiconductor
FDMS86380-F085
ON Semiconductor
FDMS86381-F085
ON Semiconductor
FDMS86569-F085
ON Semiconductor
FDWS9508L-F085
ON Semiconductor
FDMS86580-F085
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel