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Infineon Technologies IRLI520NPBF

Numéro de pièce MFG
IRLI520NPBF
quantité disponible
19360 Pièces
Prix de référence
USD 0.912
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLI520NPBF.pdf
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IRLI520NPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRLI520NPBF
Numéro de pièce future FT-IRLI520NPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLI520NPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB Full-Pak
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLI520NPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLI520NPBF-FT

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