maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTY2N80P
Référence fabricant | IXTY2N80P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTY2N80P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTY2N80P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY2N80P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTY2N80P-FT |
IRLR3715ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717PBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3802PBF
Infineon Technologies
IRLR3802TRLPBF
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel