maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTY1R4N60P TRL
Référence fabricant | IXTY1R4N60P TRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTY1R4N60P TRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXTY1R4N60P TRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY1R4N60P TRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTY1R4N60P TRL-FT |
IRLR3715Z
Infineon Technologies
IRLR3715ZCTRLP
Infineon Technologies
IRLR3715ZPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRL
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717PBF
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel