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Référence fabricant | IXTY1R4N60P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTY1R4N60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTY1R4N60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY1R4N60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTY1R4N60P-FT |
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