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Infineon Technologies IRFS4229TRLPBF

Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBF
Price: 2.207848 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (775 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFS4229TRLPBF

quantité disponible: 33350 Pièces

Prix de référence: USD 2.207848

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFS4229TRLPBF.pdf

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IRFS4229TRLPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFS4229TRLPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFS4229TRLPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFS4229TRLPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4560pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	330W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS4229TRLPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFS4229TRLPBF-FT

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