maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFS4010TRL7PP
Référence fabricant | IRFS4010TRL7PP |
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Numéro de pièce future | FT-IRFS4010TRL7PP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS4010TRL7PP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9830pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 380W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4010TRL7PP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS4010TRL7PP-FT |
PMN50EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
Nexperia USA Inc.
PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
NXP USA Inc.
PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel