maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMN70XPX
Référence fabricant | PMN70XPX |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PMN70XPX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMN70XPX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN70XPX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMN70XPX-FT |
SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3J14TTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J304T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J306T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J307T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J321T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J325F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel