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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)

Name: SSM3J307T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J307T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (687 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM3J307T(TE85L,F)

quantité disponible: 51340 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSV MOSFET P-CH 20V 5A TSM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM3J307T(TE85L,F).pdf

SSM3J307T(TE85L,F) Caractéristiques

Référence fabricant	SSM3J307T(TE85L,F)
Numéro de pièce future	FT-SSM3J307T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSV
SSM3J307T(TE85L,F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1170pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TSM
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J307T(TE85L,F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM3J307T(TE85L,F)-FT

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